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| 開催日 | 会場 | 費用 | 状況 |
|---|---|---|---|
| 2017年8月29日(火) | アイオス五反田 | 21,600円（税込） | 受付終了 |
拝啓 貴社益々ご清栄のこととお慶び申し上げます。平素は格段のお引き立てを賜り厚く御礼申し上げます。
当社は、電子状態計算に基づき材料の性質を高精度に評価するためのソフトウェア「第一原理バンド計算PHASE/0」を販売しております。
本セミナーは、第一原理バンド計算ソフトウェア「PHASE/0」をご参加される皆さまに実際に体験いただきながら、セミナー終了後も、「評価版PHASE/0」を一定のソフトウェアサポートとともにご提供し、PHASE/0へのご理解を深めていただこうという主旨のものです。
PHASE/0の基礎的なご紹介からいたしますので、第一原理バンド計算を始めたばかりの方も、これから取り組んでいこうとしてらっしゃる方に対しても、有益な情報をご提供したいと考えています。
本セミナーが、原子スケールの材料シミュレーションに携わる研究者／開発者の皆様のお役にたてば幸いです。
| 日 時： | 2017年8月29日（火）13時30分から17時00分まで（受付開始：13時10分より） |
| 会 場： | アイオス五反田会議室（品川区東五反田1-10-7 2F）アクセス |
| 定 員： | 10名 |
| 参 加 費： | 21,600円（税込、事前お振込み） |
| 参加特典として、「PHASE/0」評価版および3ヶ月サポートをご提供します | |
| | なおモバイルPCをご用意の上、ご持参ください。 当日、PHASE/0を動作させるために必要です（推奨スペックについてはこちら）。 |
| 主 催： | 株式会社アスムス |
|
本セミナーは終了しました。最新の情報は下記よりご覧ください。 |
| 時間 | 内容 |
|---|---|
| 13:10~13:30 | 受付開始、およびソフトウェアインストール実行 |
| 13:30~13:35 | 主催者ご挨拶 |
| 13:35~14:00 | 第一原理バンド計算の概要説明（講義）
|
| 14:00~15:05 | ワークショップ 1 ＜基礎編＞
- 電子状態計算：窒化物半導体を題材にします●SCF計算、構造緩和、格子最適化 - 状態密度図の作成（Gaussian法と四面体法） |
| 15:05~15:15 | 休憩 |
| 15:15~15:55 | ワークショップ 2 ＜基本編＞
- バンド構造図の作成- 欠陥準位の解析 |
| 15:55~16:45 | 簡単な応用と機能紹介（講義）
- 表面の電子状態解析（局所状態密度）- ハイブリッド汎関数、分子吸着、仕事関数、XPSなど（ご紹介のみですが、 評価版で動作する入力サンプルをお渡しします） |
| 16:45~17:00 | 質疑応答、まとめ |
※ プログラムは都合により変更となる場合がございます。予めご了承ください。
ご参加の際に、モバイルPCをお客様でご用意いただき、ご持参ください。
PHASE/0が動作するためのスペックは下記の通りです。
セミナーご参加の方に、第一原理バンド計算ソフト「PHASE/0」評価版をお渡しいたします。
本セミナーでご体験いただくのは、電子状態計算に基づき、材料の性質を高精度に評価するためのソフトウェア「第一原理バンド計算PHASE/0」です。
第一原理バンド計算の使い方を理解するためには、以下の3つのキーワードが重要です。
ワークショップでは、お持ちいただくPCを使用して、PHASE/0を立ち上げます。PHASE/0基礎編では、PHASE Viewerの設定からご紹介いたします。
第一原理バンド計算PHASE/0の設定項目を詳しく確認しながら、電子状態計算を体験していただきます。計算結果の解釈についてもご説明いたします。
それでは、窒化物半導体の計算をみていきましょう。
GaNの計算
GaNの状態密度
ワークショップ後半では、バンド構造図、欠陥準位の解析、スピンを考慮した計算をご体験いただけます。
ハイブリッド汎関数、分子吸着、仕事関数、XPSなどは、ご紹介のみですが、評価版で動作する入力サンプルをお渡ししますので、セミナー後にお試しいただくことができます。
ご興味をお持ちいただけましたら是非ともセミナーにご参加ください。お待ちしております。
Si(100)に吸着したスチルベン
炭素1s電子の結合エネルギー
Ag吸着したSi(111)表面
ハーフメタルの計算
本社隣のビル、アイオス五反田 2階です。
東京都品川区東五反田1-10-7 アイオス五反田2階 会議室
| メール： | info@asms.co.jp |
|---|---|
| 電話： | 03-6450-2531 |
